Maydoniy tranzistorni yaratish yo‘lidagi ilk qadamni Avstriya-Vengriya fizigi Yuliy Edgar Lilienfeld qo‘ydi. U namunadagi zaryad tashuvchilarga ko‘ndalang elektr maydoni ta’sir ettirish orqali tokni boshqarish usulini taklif qildi. Patentlar Kanadada (22-oktabr 1925-yil) va Germaniyada (1928-yil). 1934-yilda nemis fizigi Oskar Xayl Buyuk Britaniyada ham shunga o‘xshash prinsipga asoslangan «kontaktsiz rele»ni patentladi. 1938-yilda R. Pol va R. Xilsh maydoniy tranzistor prototipida birinchi marta kuchaytirishga erishdi, biroq kuchaytirish juda kichik, ishchi chastota esa 1 Gts dan oshmagan.

Maydoniy tranzistorlar oddiy elektrostatik maydon effektiga asoslangan va ularda kechadigan fizik jarayonlar bipolyar tranzistorlardagidan sodda bo‘lsa-da (tajribachilar ko‘pincha kristall ichida uch elektrodli lampa — triod tuzilishini takrorlashga urinishgan), ishlaydigan namunani yaratishning imkoni bo‘lmagan. Yaratuvchilar o‘sha davrda noma’lum bo‘lgan yarimo‘tkazgich sirtidagi hodisalarni bartaraf eta olishmagan; bu hodisalar ushbu turdagi tranzistorlarda kristall ichidagi elektr maydonini boshqarishga xalal bergan (MDYa-tranzistor — «metall–dielektrik–yarimo‘tkazgich»). Ishlaydigan maydoniy tranzistor bipolyar tranzistor kashf etilgandan keyingina yaratildi. 1952-yilda Uilyam Shokli maydoniy tranzistorning boshqa turini nazariy jihatdan tavsifladi. Unda tok avval taklif etilgan MDYa-tuzilmalardan farqli ravishda, kanalga tutash p-n-o‘tishning kambag‘allashgan sohasi kengayishi yoki torayishi hisobiga o‘tkazuvchi kanal qalinligini o‘zgartirish orqali modulyatsiyalanardi. Bu zatvor diodining o‘tishiga beriladigan berkituvchi qutbli boshqaruvchi kuchlanish ta’sirida yuz berardi. Tranzistor «boshqaruvchi p-n-o‘tishli maydoniy tranzistor» (ingl. junction-gate field-effect transistor, JFET) deb nomlandi — o‘tkazuvchi kanal kristall ichida joylashgani sababli sirt hodisalari uning ishlashiga xalaqit bermasdi.

1920-yillardayoq patentlangan birinchi maydoniy MDYa-tranzistor amalda ilk bor 1960-yilda amerikalik Kang va Atalla ishlaridan so‘ng yaratildi. Ular kremniy kristalli sirtini oksidlash orqali zatvor dielektrigi sifatida nihoyatda yupqa kremniy dioksidi qatlamini hosil qilishni taklif etishdi. Bu qatlam metall zatvorni o‘tkazuvchi kanaldan ajratib turardi. Tuzilma MOYa («metall–oksid–yarimo‘tkazgich») deb nomlandi.

Birinchi seriyali MOYa-tranzistorlar (ingl. metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET) 1964-yilda bozorga chiqdi. 1970-yillarda MOYa-mikrosxemalar xotira mikrosxemalari va mikroprotsessorlar, XXI asr boshida esa MOYa-mikrosxemalar 99 foizlik ulushga erishdi — bu ishlab chiqarilayotgan jami integral sxemalar orasidagi ulushdir.

Maydoniy tranzistordan farqli ravishda, birinchi bipolyar tranzistor tajriba yo‘li bilan yaratilgan va uning fizik ishlash prinsipi keyinroq izohlangan.

1929–1933-yillarda Leningrad fizika-texnika institutida (LFTI) Oleg Losev akademik Ioffe rahbarligida konstruksiyasi jihatidan karborund (SiC) kristallidagi nuqtaviy tranzistorga o‘xshash yarimo‘tkazgichli qurilma ustida bir qator tajribalar o‘tkazdi. Biroq o‘sha paytda yetarli kuchaytirish koeffitsiyentiga erishilmadi. Yarimo‘tkazgichlarda elektroluminessensiya hodisasini o‘rganar ekan, Losev qariyb 90 xil materialni, ayniqsa kremniyni tadqiq qildi va 1939-yilgi qaydlarida uch elektrodli tizimlar ustida olib borilgan ishlarga yana to‘xtaldi. Ammo urush boshlanishi va muhandisning qamal ostidagi Leningradda 1942-yil qishida halok bo‘lishi tufayli uning ayrim ishlari yo‘qolib ketdi. Shuning uchun tranzistor yaratishda qanchalik ilgarilagani hozir noma’lum. 1930-yillar boshida kanadalik radiohavaskor Larri Kayzer va yangi zelandiyalik Robert Adams ham nuqtaviy uch elektrodli kuchaytirgichlarni yasashgan, ammo ular ishlarini patentlamagan va ilmiy tahlildan o‘tkazmagan.

Muvaffaqiyatga Bell Telephone Laboratories — American Telephone and Telegraph kompaniyasining tajriba-konstruktorlik bo‘limi erishdi. 1936-yildan boshlab u yerda Jozef Bekker rahbarligida qattiq jismli kuchaytirgichlarni yaratishga maxsus yo‘naltirilgan olimlar guruhi faoliyat yuritdi. 1941-yilgacha yarimo‘tkazgichli kuchaytiruvchi asbob yaratilmadi (maydoniy tranzistor prototipini yaratishga urinishlar bo‘lgan). Urushdan keyin, 1945-yilda tadqiqotlar nazariyotchi fizik Uilyam Shokli rahbarligida qayta boshlandi. Yana ikki yillik muvaffaqiyatsiz urinishlardan so‘ng, 16-dekabr 1947-yilda tadqiqotchi Uolter Bratteyn germaniy kristallidagi sirt effektini bartaraf etishga urinib, ikkita ignasimon elektrod bilan tajriba o‘tkazayotganida berilgan kuchlanish qutblarini adashtirib yubordi va kutilmaganda signalning barqaror kuchayishini oldi. U bu kashfiyotni nazariyotchi Jon Bardin bilan birga o‘rganganida, maydon effekti yo‘qligi, kristall ichida hali o‘rganilmagan jarayonlar yuz berayotgani aniqlandi. Bu maydoniy emas, balki shu paytgacha noma’lum bo‘lgan bipolyar tranzistor edi. 23-dekabr 1947-yilda ishlaydigan namuna kompaniya rahbariyatiga taqdim etildi. Shu sana tranzistorning tug‘ilgan kuni hisoblanadi. Muvaffaqiyatdan xabar topgan, tadqiqotlardan chetlashgan Uilyam Shokli yana ishga qaytdi va qisqa vaqt ichida bipolyar tranzistor nazariyasini yaratdi. Unda nuqtaviy ishlab chiqarish texnologiyasini istiqbolliroq yassi texnologiya bilan almashtirish g‘oyasini ilgari surdi.

Dastlab yangi qurilma vakuumli triodga, ya’ni o‘xshash tuzilishli elektron lampaga qiyoslanib, dastlab «germaniyli triod» yoki «yarimo‘tkazgichli triod» deb atalgan. 1948-yil may oyida laboratoriyada ixtiroga yangi nom topish tanlovi o‘tkazildi va unda Jon Pirs g‘olib bo‘ldi. U «transconductance» (elektrodlararo faol o‘tkazuvchanlik) va «variable resistor» yoki «varistor» (o‘zgaruvchan qarshilik, varistor) atamalarini birlashtirishdan hosil qilingan «transistor» so‘zini taklif etdi. Boshqa talqinlarga ko‘ra, bu so‘z «transfer» — uzatish va «resist» — qarshilik so‘zlaridan olingan.

30-iyun 1948-yilda kompaniyaning Nyu-Yorkdagi bosh qarorgohida yangi qurilma rasman taqdim etildi: tranzistorlarda ishlaydigan radioqabul qilgich yig‘ildi. Ammo dastlabki nuqtaviy tranzistorlarning xususiyatlari elektron lampalarnikiga nisbatan juda yomon va beqaror bo‘lgani uchun kashfiyot munosib baholanmadi.

1956-yilda Uilyam Shokli, Uolter Bratteyn va Jon Bardin birgalikda fizika bo‘yicha Nobel mukofoti bilan «yarimo‘tkazgichlarni tadqiq etish va tranzistor effektini kashf qilish uchun» taqdirlandilar. Qizig‘i shundaki, Jon Bardin ko‘p o‘tmay o‘ta o‘tkazuvchanlik nazariyasini yaratgani uchun ikkinchi marta Nobel mukofotiga sazovor bo‘ldi.

Amerikalik olimlar ishlari bilan bir vaqtda Yevropada ham tajribachi fizik Gerbert Matare^[ingl.] va nazariyotchi Genrix Velker^[ingl.] tomonidan bipolyar tranzistor yaratildi. 1944-yilda Telefunken kompaniyasida ishlagan Gerbert Matare kelajakdagi nuqtaviy bipolyar tranzistorga tuzilishi jihatidan o‘xshagan yarimo‘tkazgichli «duodiod» (qo‘sh diod) ishlab chiqdi. Qurilma radiolokatsiya texnikasida aralashtirgich vazifasini bajarib, bitta germaniy kristallida tayyorlangan, parametrlari o‘xshash ikkita nuqtaviy to‘g‘rilovchi diod sifatida qo‘llanardi. O‘shanda Matare bir diod toki ikkinchisining parametrlariga ta’sir qilishini ilk marta kuzatib, shu yo‘nalishda tadqiqot boshladi. Urushdan keyin Gerbert Matare Parijda Iogann Velker bilan uchrashdi. Ikkala fizik Amerikaning Westinghouse Electric korporatsiyasi filialida ishlash chog‘ida o‘z tashabbusi bilan duodiod tajribalarini davom ettirdi. 1948-yil iyun boshida ular Bell Labs dagi Shokli guruhi natijalaridan hali xabarsiz bo‘lgan holda duodiod asosida barqaror ishlaydigan bipolyar tranzistor yaratishdi va uni «tranzitron» deb atashdi. Biroq 1948-yil avgustda yuborilgan patent arizasi Fransiya patent idorasida juda uzoq ko‘rib chiqildi va patent faqat 1952-yilda berildi. Westinghouse kompaniyasi seriyali ishlab chiqargan tranzitronlar sifati jihatidan boshqa tranzistorlar bilan muvaffaqiyatli raqobatlashgan bo‘lsa-da, bozorni egallay olmadi va tez orada bu yo‘nalishdagi ishlar to‘xtatildi.

Dastlabki tranzistorlar kichik va tejamkor bo‘lsa-da, shovqini yuqori, quvvati kichik, vaqt o‘tishi bilan xususiyatlari beqaror hamda parametrlari haroratga kuchli bog‘liq edi. Nuqtaviy tranzistor monolit tuzilishga ega bo‘lmagani uchun zarba va tebranishlarga sezgir edi. Qurilmani yaratgan Bell Telephone Laboratories uning istiqbolini yetarlicha baholamadi; foydali harbiy buyurtmalar kutilmagani uchun ixtiro litsenziyasi tez orada istaganlarga 25 ming dollardan sotila boshladi. 1951-yilda yaxlit yarimo‘tkazgich kristalidan iborat yassi tranzistor yaratildi, taxminan shu davrda kremniy asosidagi dastlabki tranzistorlar ham paydo bo‘ldi. Tranzistorlarning xususiyatlari tez yaxshilandi va ular elektron radiolampalar bilan faol raqobatlasha boshladi.

30 yillik rivojlanish davomida tranzistorlar elektron lampalarni deyarli butunlay siqib chiqardi va yarimo‘tkazgichli integral sxemalarning asosiga aylandi. Natijada elektron texnika ancha tejamkor, funksional va ixcham bo‘ldi. Tranzistorlar va ularga asoslangan integral sxemalar kompyuter texnikasining jadal rivojlanishiga turtki berdi. XXI asr boshida tranzistor insoniyat eng ko‘p ishlab chiqaradigan mahsulotlardan biriga aylandi. 2013-yilda Yerning har bir aholisiga qariyb 15 milliard tranzistor ishlab chiqarildi (ularning aksariyati integral sxemalar tarkibida edi).

Integral mikrosxemalar paydo bo‘lishi bilan alohida tranzistor o‘lchamini kichraytirish poygasi boshlandi. 2012-yilda eng kichik tranzistorlar sanoqli atomlardan iborat edi. Tranzistorlar kompyuterlar va boshqa raqamli qurilmalarning asosiy qismiga aylandi. Ayrim protsessor konstruksiyalarida ularning soni bir milliarddan oshgan.

Asosiy yarimo‘tkazgich materiali odatda monokristallning ayrim qismlariga aralashma kiritilgan shaklda ishlatiladi. Undan tashqari, tranzistor tuzilishida metall chiqishlar, izolyatsiyalovchi elementlar va korpus (plastmassa, metall-shisha yoki metall-keramika) bo‘ladi. Ba’zan texnologik turlarni qisman tavsiflovchi qo‘shma atamalar ishlatiladi (masalan, «sapfir ustidagi kremniy» yoki «metall–oksid–yarimo‘tkazgich»). Ammo asosiy tasnif foydalanilgan yarimo‘tkazgich materialiga asoslanadi: kremniy, germaniy, galliy arsenidi va boshqalar.

Yaqin vaqtgacha tranzistorlarda boshqa materiallar ishlatilmagan. Hozirda, masalan, displey matritsalarida qo‘llash uchun shaffof yarimo‘tkazgichlar asosida tranzistorlar mavjud. Yarimo‘tkazgich polimerlari ham istiqbolli material hisoblanadi. Shuningdek, uglerod nanonaychalari va grafenli maydoniy tranzistorlar haqida alohida xabarlar mavjud.

Tranzistorlarning ishlash prinsipi va qo‘llash usullari ularning turi va ichki tuzilishiga sezilarli darajada bog‘liq.

• Bipolyar
  • n-p-n-tuzilmali, «teskari o‘tkazuvchanlikli».
  • p-n-p-tuzilmali, «to‘g‘ri o‘tkazuvchanlikli».

Bipolyar tranzistorda zaryad tashuvchilar emitterdan yupqa baza orqali kollektorga harakatlanadi. Baza emitter va kollektordan p-n-o‘tishlar bilan ajratilgan. Tranzistordan tok faqat zaryad tashuvchilar emitterdan p-n-o‘tish orqali bazaga injeksiyalanganda o‘tadi. Bazada ular noasosiy zaryad tashuvchilar bo‘lib, baza va kollektor o‘rtasidagi boshqa p-n-o‘tish tomonidan osongina tutib olinadi va shu jarayonda tezlashadi. Baza qatlamida zaryad tashuvchilar aralashma konsentratsiyasi gradiyenti bo‘lmaganda diffuziya mexanizmi hisobiga, baza notekis legirlanganida esa elektr maydoni ta’sirida tarqaladi. Qurilmaning tezkorligini oshirish uchun baza qatlamini imkon qadar yupqa qilish kerak, ammo uni haddan tashqari yupqalashtirish kollektor kuchlanishining ruxsat etilgan eng yuqori qiymatini kamaytiradi. Emitter va kollektor orasidagi tok baza va emitter o‘rtasidagi kuchlanishni o‘zgartirish bilan boshqariladi. Bu kuchlanish bazaga zaryad tashuvchilar injeksiyasi sharoitlarini hamda baza tokini belgilaydi.

• Maydoniy
  • p-n-o‘tishli.
  • izolyatsiyalangan zatvorli — MDYa-tranzistor.

Maydoniy tranzistorda tok zatvor ostidagi kanal orqali istokdan stokka oqadi. Kanal zatvor va legirlanmagan taglik orasidagi legirlangan yarimo‘tkazgichda mavjud. Taglikda zaryad tashuvchilar bo‘lmagani uchun u tok o‘tkazmaydi. Zatvor ostida asosan kambag‘allashgan soha bo‘ladi; legirlangan yarimo‘tkazgich va metall zatvor orasida Shottki kontakti hosil bo‘lgani tufayli bu sohada ham zaryad tashuvchilar yo‘q. Demak, kanal kengligi taglik va kambag‘allashgan soha orasidagi masofa bilan cheklanadi. Zatvorga berilgan kuchlanish kambag‘allashgan sohaning kengligini va shu orqali kanalning ko‘ndalang kesim yuzasini oshiradi yoki kamaytiradi, natijada stok toki hamda unga teng istok toki boshqariladi.

• Bir o‘tishli tranzistorlar.
• Ko‘p emitterli tranzistorlar (tranzistor-tranzistor mantiqida VA-EMAS mantiqiy elementlarini yaratishda qo‘llanadi).
• Ballistik tranzistorlar.
• Bir molekulali tranzistor.
• Fototranzistorlar.
• Dielektrik tranzistorlar

• Ichki rezistorli tranzistorlar (Resistor-equipped transistors (RETs)) — bir korpusga rezistorlar bilan birga joylashtirilgan bipolyar tranzistorlar.
• Darlington tranzistori, Shiklay juftligi — tok bo‘yicha yuqori kuchaytirish koeffitsiyentiga ega bipolyar tranzistor kabi ishlaydigan ikkita bipolyar tranzistor kombinatsiyasi.
  • bir xil tuzilishli tranzistorlarda;
  • turli tuzilishli tranzistorlarda.
• Lambda-diod — ikki qutbli element bo‘lib, ikkita maydoniy tranzistor birikmasidan iborat; tunnel diod kabi uning volt-amper tavsifida manfiy differensial qarshilikka ega sezilarli soha mavjud.
• Izolyatsiyalangan zatvorli maydoniy tranzistor bilan boshqariladigan bipolyar tranzistor (IGBT) — asosan elektr yuritmalarni boshqarishga mo‘ljallangan quvvatli elektron asbobdir.

Issiqlik ko‘rinishida tarqatiladigan quvvatga qarab quyidagilar ajratiladi:

• kichik quvvatli tranzistorlar — 100 mVt gacha;
• o‘rtacha quvvatli tranzistorlar — 0,1 dan 1 Vt gacha;
• katta quvvatli tranzistorlar (1 Vt dan yuqori).

• diskret tranzistorlar;
  • korpusli
    • erkin montaj uchun
    • radiatorga o‘rnatish uchun
    • avtomatlashtirilgan kavsharlash tizimlari uchun
  • korpussiz
• integral sxemalar tarkibidagi tranzistorlar.

• Metall-shisha/metall-keramika korpusda.

Korpus materiali — metall. Chiqish simlari o‘tadigan izolyatorlar shisha yoki keramikadan tayyorlanadi. Atrof-muhit haroratining eng keng ish diapazoniga va tashqi omillar ta’siridan eng yuqori darajadagi himoyaga ega.

• Plastmassa korpusda.

Narxi arzonroq va foydalanishga qo‘yiladigan sharoit talablari yumshoqroq bo‘ladi. Plastmassa korpusdagi quvvatli qurilmalarda chiqishlardan tashqari, ko‘pincha tashqi radiatorga o‘rnatish uchun kristall ushlagich vazifasini bajaradigan metall issiqlik tarqatuvchi qism ham mavjud.

• Korpussiz — quyidagilarning tarkibida qo‘llanadi: gibrid mikrosxemalar va mikromodullar.

• Bir elektronli tranzistorlar ikkita tunnelli o‘tish orasida kvant nuqtasi («orolcha» deb ataladi)ni o‘z ichiga oladi. Tunnellanish toki u bilan sig‘im orqali bog‘langan zatvordagi kuchlanish bilan boshqariladi.
• Biotranzistor.

• umumiy emitterli (UE) — tokni ham, kuchlanishni ham kuchaytiradi; eng ko‘p qo‘llanadigan sxema;
• umumiy kollektorli (UK) — faqat tokni kuchaytiradi; yuqori kirish qarshiligiga ega signal manbalarini kichik qarshilikli yuklamalar bilan moslashtirishda qo‘llanadi;
• umumiy bazali (UB) — faqat kuchlanishni kuchaytiradi. Kamchiliklari tufayli bir tranzistorli kuchaytirish bosqichlarida kamdan-kam ishlatiladi (asosan, o‘ta yuqori chastotali (O‘YuCh) kuchaytirgichlarda), odatda murakkab sxemalarda (masalan, kaskodli sxemalarda) qo‘llanadi).

p-n-o‘tishli (kanalli) va MOYa (MDYa) maydoniy tranzistorlarning quyidagi ulanish sxemalari mavjud:

• umumiy istokli (UI) — bipolyar tranzistorning UE sxemasiga o‘xshash;
• umumiy stokli (US) — bipolyar tranzistorning UK sxemasiga o‘xshash;
• umumiy zatvorli (UZ) — bipolyar tranzistorning UB sxemasiga o‘xshash.

«Ochiq kollektor (stok)» deb elektron modul yoki mikrosxema tarkibida tranzistorning umumiy emitterli (istokli) sxema bo‘yicha ulanishiga aytiladi. Bunda kollektor (stok) chiqishi modul (mikrosxema)ning boshqa elementlariga ulanmaydi, balki bevosita tashqariga — modulning ulagichiga yoki mikrosxema kontaktiga chiqariladi. Tranzistor yuklamasi va kollektor (stok) tokini tanlash shu modul yoki mikrosxema ishlatiladigan yakuniy sxema yaratuvchisiga qoldiriladi. Xususan, bunday tranzistor yuklamasi modul/mikrosxemaning ta’minot kuchlanishidan yuqori yoki pastroq kuchlanishli quvvat manbaiga ulanishi mumkin. Bu yondashuv yakuniy sxemani biroz murakkablashtirish evaziga modul yoki mikrosxemaning qo‘llanish imkoniyatlarini ancha kengaytiradi. Ochiq kollektorli (stokli) tranzistorlar TTL mantiqiy elementlarida, quvvatli kalitli chiqish bosqichlariga ega mikrosxemalarda, sath o‘zgartirgichlarda, shina shakllantirgichlarida (drayverlarda) ishlatiladi.

Kamroq uchraydigan teskari ulanish — ochiq emitterli (istokli) sxemadir. U ham tashqi komponentlarni o‘zgartirish orqali tranzistor yuklamasini tanlash va emitterga/stokka asosiy sxema ta’minot kuchlanishiga teskari qutbli kuchlanish berish imkonini beradi (masalan, n-p-n bipolyar tranzistorli yoki n-kanalli maydoniy tranzistorli sxemalar uchun manfiy kuchlanish).

Tranzistorlarning aksariyat elektron qurilmalarda o‘zidan oldingi vakuumli lampalar o‘rnini egallashiga imkon bergan asosiy afzalliklari:

• kichik o‘lcham va yengil vazn — elektron qurilmalarni ixchamlashtirishga yordam beradi;
• yuqori avtomatlashtirish darajasi va ishlab chiqarish texnologik jarayonining ko‘p bosqichlarida bir vaqtning o‘zida ko‘p mahsulot bilan ishlash imkoniyati — ommaviy ishlab chiqarishda bir dona mahsulot tannarxini uzluksiz kamaytiradi;
• past ishchi kuchlanishlar — kichik o‘lchamli elektrokimyoviy tok manbalaridan quvvat oluvchi ixcham elektron qurilmalarda tranzistorlardan foydalanishga imkon beradi;
• qurilma yoqilgandan keyin katodni qo‘shimcha qizdirish uchun vaqt kerak emas — quvvat berilishi bilan tranzistorli qurilmalar deyarli darhol ishlashga tayyor bo‘ladi;
• lampalarga nisbatan kam quvvat sarflaydi, jumladan katodni qizdirish zarurati yo‘qligi sababli — bu energiya samaradorligini oshiradi, ortiqcha issiqlikni chiqarishni yengillashtiradi va qurilmalarni ixchamlashtirishga imkon beradi;
• yuqori ishonchlilik va mexanik mustahkamlik, zarba hamda tebranishlarga chidamlilik — qurilmalarni kuchli zarba va tebranishlar sharoitida ishlatishdagi muammolarni kamaytiradi;
• juda uzoq xizmat muddati — ayrim tranzistorli qurilmalar 50 yildan ko‘proq ishlatilgan va shu vaqt davomida ishlash qobiliyatini yo‘qotmagan;
• ko‘plab elementlarni bitta kichik konstruktiv modulga birlashtirish imkoniyati integratsiya darajasini sezilarli oshiradi va vakuum lampalarda amalga oshirib bo‘lmaydigan murakkab kombinatsiyalangan sxemalarni yaratishni osonlashtiradi.

• Oddiy kremniyli tranzistorlar 1 kV dan yuqori kuchlanishda ishlamaydi, vakuum lampalar esa 1 kV dan bir necha daraja yuqori kuchlanishlarda ishlashi mumkin (1 kV dan yuqori kuchlanishli zanjirlarni kommutatsiyalash uchun IGBT);
• tranzistorlar yaratilgan). Quvvatli radioeshittirish va o‘ta yuqori chastotali uzatkichlarda tranzistorlardan foydalanish ko‘pincha texnik va iqtisodiy jihatdan maqsadga muvofiq emas: nisbatan kichik quvvatli ko‘plab kuchaytirgichlarni parallel ulash va o‘zaro moslashtirish talab qilinadi. Anodi havo yoki suv bilan sovitiladigan quvvatli hamda o‘ta quvvatli generator lampalar, shuningdek, magnetronlar, klistronlar, yuguruvchi to‘lqin lampalari (YuTL) chastota xususiyatlari, quvvat va maqbul narxning yaxshiroq nisbatini ta’minlaydi.
• Tranzistorlar kuchli elektromagnit impulslarga vakuumli lampalarga qaraganda ancha sezgir. Bunday impulslar yadro portlashi;
• ning zarar yetkazuvchi omillaridan biri ham hisoblanadi. Radiatsiya va kosmik nurlanish ta’siriga sezgirlik ham kamchilikdir (kosmik apparatlar elektron qurilmalari uchun maxsus radiatsiyaga chidamli mikrosxemalar ishlab chiqilgan).