Tranzistor yarimo‘tkazgichdan (semiconductor) tayyorlanadi va uning xususiyatlariga qarab turli xil tranzistor turlari mavjud; ularning har birining o‘ziga xos afzalliklari va kamchiliklari bor.
Tranzistorlarning ayrim turlari quyida keltirilgan:
- Bipolyar birikma tranzistori (Bipolar Junction Transistor, BJT)
- Diffuziya tranzistori (Diffusion Transistor)
- Avalansh tranzistori (Avalanche Transistor)
- Shottki tranzistori (Schottky Transistor)
- Darlington tranzistori (Darlington Transistor)
- Geterobirikmali bipolyar tranzistor (Heterojunction Bipolar Transistor, HBT)
- Maydon effektli tranzistor (Field Effect Transistor, FET)
- Birikmali FET tranzistori (Junction FET Transistor, JFET)
- Ikki darvozali MOSFET (Dual Gate MOSFET)
- Ko‘p emitterli tranzistor (Multiple-Emitter Transistor)
Bipolyar birikma tranzistori (BJT)
Bular tok bilan boshqariladigan (current-controlled) qurilmalardir va ikki turga bo‘linadi: NPN va PNP. NPN turida tokning asosiy qismi elektronlar tomonidan tashiladi. PNP turida esa tokning asosiy qismi kovaklar (holes) orqali tashiladi.
Diffuziya tranzistori
Bular BJT ning bir turi bo‘lib, yarimo‘tkazgich asos (substrate) ichiga legirlovchi qo‘shimchalar (dopants)ni diffuziya yo‘li bilan kiritish natijasida hosil qilinadi. Masalan, Philco kompaniyasining mikro-qotishmali diffuziyali tranzistori (micro-alloy diffused transistor).
Avalansh tranzistori
Bu bipolyar birikma tranzistori (BJT)ning bir turi bo‘lib, kollektor toki (collector-current) / kollektor–emitter kuchlanishi (collector-to-emitter voltage) sohasi bilan ishlaydi; bu soha kollektor–emitterning buzilish kuchlanishidan (breakdown) ham yuqorida bo‘ladi va u avalansh buzilish kuchlanishi (avalanche breakdown voltage) deb ham ataladi. Bu yerda ishlash rejimi avalansh-rejim (avalanche-mode operations) deyiladi, ya’ni tranzistor nanosekundlardan ham qisqa vaqt ichida juda katta toklar (high currents) oralig‘ida “almashadi” (switches).
Shottki tranzistori
Tranzistor Shottki diodi (Schottky diode) bilan birlashtirilganda, u Shottki tranzistori deyiladi. Bunday diodning kiritilishi haddan tashqari kirish tokini (extreme input current) chetga yo‘naltirish (diversion) orqali tranzistorning to‘yingan holatga (saturation) kirib qolishini oldini oladi.
Darlington tranzistori
Bu ikki xil tranzistordan tuzilgan tranzistor sxemasi (transistor circuit). U tokni kuchaytirish (current gain) qobiliyatiga yuqoriroq ega. Uning sxemasi integral sxema (integrated circuit) ichida ham joylashgan bo‘lishi mumkin.
Geterobirikmali bipolyar tranzistor (HBT)
Bu turdagi tranzistorlar yuqori chastotali analog yoki raqamli (digital) mikroto‘lqin (microwave) qurilmalarda ishlatiladi. U tezroq kommutatsiya (switching) tezligini ta’minlaydi va litografik chiqim (lithographic yield)ni yaxshilaydi. Shuningdek, emitter injeksiya samaradorligi (emitter injection efficiency) yuqoriroq bo‘ladi.
Maydon effektli tranzistor (FET)
Bular kuchlanish bilan boshqariladigan (voltage controlled) bo‘lib, kirish qarshiligi (input impedance) yuqori; shu sababli ulardan juda kichik tok o‘tadi. Ular BJT lar kabi bir xil turdagi kuchaytirishni (amplification) ta’minlay olmaydi.
Birikmali FET tranzistori (JFET)
Bu turdagi FET tranzistorlarda PN birikmalar (PN junctions) yo‘q, biroq tokning asosiy qismi ikki elektr ulanishi orqali oqadi; ular mos ravishda Drain (dren) va Source (manba) deb ataladi. Bular ikki turga bo‘linadi: N-kanalli (N-channel) va P-kanalli (P-channel).
Ikki darvozali MOSFET
U ketma-ket ulangan ikki MOSFET qurilmasi kabi ishlaydi. Kanal uzunligi bo‘ylab joylashgan ikkita darvozaga (gate) ega. Har ikkala darvoza MOSFET ning umumiy ishlashiga va chiqishiga (output) ta’sir qiladi.
Ko‘p emitterli tranzistor
Bu yerda emitterlarga kirish signallari beriladi. Bu kommutatsiya vaqtini (switching time) va quvvat yo‘qotilishini (power dissipation) kamaytirishi mumkin.
